近日，我国高性能硅光电倍增器（SiPM）国产化取得重大突破。记者从中广核核技术发展有限公司获悉，由其旗下中广核京师光电科技（天津）有限公司打造的高性能硅光电倍增器封装产线成功通线N配资，并提前达成器件良率超90%的目标，标志着国内高性能硅光电倍增器产品实现国产化，打破国外长期垄断局面。
中京光电生产的高性能硅光电倍增器N配资
硅光电倍增器作为核心光电转换器件，因其高灵敏度、低噪声、低功耗等显著优势，在核医疗影像、核测控装备、高能物理研究、生物科学等前沿领域应用广泛，潜力巨大。此前，国内硅光电倍增器市场长期被国外企业主导，实现相关核心元器件自主可控已被明确列入国家《核技术应用产业高质量发展三年行动方案（2024-2026）》。
N配资
工作人员正在光刻间操作设备
为攻克这一技术，中广核技携手北京师范大学共同设立中京光电，以完全拥有自主知识产权的外延电阻淬灭（EQR）硅光电倍增器、位置灵敏硅光电倍增器等技术为抓手，积极推动科技成果转化。此次产线成功通线及高良率目标的达成，有效填补了国内高性能硅光电倍增器产品的空白，为产业链安全稳定提供了有力保障。
中京光电总经理王晓峰表示，“半导体光敏传感器量产对环境和工艺要求极为严苛，为此，公司斥资建设了最高达百级的高标准洁净厂房N配资，并自主设计、建设了集标准化工艺生产、质量控制等功能于一体的高水平封装产线”。接下来，企业将紧密围绕市场需求和客户反馈，持续优化提升硅光电倍增器产品性能。
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